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半導體多重圖形曝光技術的原理 Multiple patterning

2022011109:43
EUV極紫外光的波長 13.5奈米，如何能做出 10奈米以下的晶片?

這篇是文章解說：
次10奈米世代的半導體怎麼做？
新一代製程的關鍵：13.5奈米的「極端」紫外光

曲博科技教室的 Youtube 有介紹 多重圖形曝光技術的原理 Multiple patterning
影片9:50的位置


【2019/08/29】極紫外光(EUV)與先進光學微影系統...
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